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陈 斌


1.  基本信息
姓名:陈斌           
职称:特别研究员,博士生导师
邮箱:cbcce@sjtu.edu.cn 
通讯地址:上海市东川路800号 上海交大化学化工学院     
   
2.  教育背景
   1999. 09– 2003. 07    武汉理工大学,学士,导师:张联盟                         
   2003. 09– 2006. 07    清华大学, 硕士 ,导师:潘伟                                 
   2006. 08– 2009. 07    日本筑波大学, 博士 ,导师:Takashi Sekiguchi                         
                
3.  工作经历
   2006. 08– 2009. 07  日本物质材料研究所,初级研究员,合作导师:Takashi Sekiguchi                   
   2009. 08– 2011. 03  日本产业技术综合研究所,博士后,合作导师:Hirofumi Matsuhata
   2011. 03– 2013. 02  澳大利亚悉尼大学,博士后,合作导师:廖晓舟                                                     
   2013. 04– 2014. 05  日本物质材料研究所,博士后,合作导师:Takashi Sekiguchi   
   2014. 05– 2017. 08  美国加州理工学院,博士后,合作导师:Ahmed Zewail
   2017. 09– 至今        上海交通大学化学化工学院,特别研究员
                                                        
4.  研究方向
1)材料与器件的超快动力学 
2)四维超快电镜的超高时空分辨率成像
3)纳米光电磁学
4)催化反应动力学                                  


5.   所获荣誉
    2006年度   日本物质材料研究所Junior Researcher Award


6.  代表性论文
1 X. W. Fu, B. Chen, J. Tang, M. Th. Hassan, A. H. Zewail. Imaging rotational dynamics of nanoparticles in liquid by 4D electron microscopy. Science 355, 494-498 (2017). 
2 X. W. Fu, B. Chen, J. Tang, A. H. Zewail. Photoinduced nanobuble-driven superfast diffusion of nanoparticles imaged by 4D electron microscopy. Science Advances 3, e1701160 (2017).
3 B. Chen, J. Wang, Q. Gao, Y. J. Chen, X. Z. Liao, C. S. Lu, H. H. Tan, Y. W. Mai, J. Zou, S. P. Ringer, H. J. Gao, C. Jagadish. Strengthening brittle semiconductor nanowires through stacking faults: Insights from in situ mechanical testing. Nano Letters 13, 4369-4373 (2013). 
4 B. Chen, Q. Gao, Y. B. Wang, X. Z. Liao, Y. W. Mai, H. H. Tan, J. Zou, S. P. Ringer, C. Jagadish. Anelastic behavior in GaAs semiconductor nanowires. Nano Letters 13, 3169-3172 (2013). 
5 B. Chen, Q. Gao, L. Chang, Y. B. Wang, Z. B. Chen, X. Z. Liao, H. H. Tan, J. Zou, S. P. Ringer, C. Jagadish. Attraction of semiconductor nanowires: An in situ observation. Acta Materialia 61, 7166-7172  (2013). 
6 B. Chen, J. Wang, Y. W. Zhu, X. Z. Liao, C. S. Lu, Y. W. Mai, S. P. Ringer, F. J. Ke, Y. G. Shen. Deformation-induced phase transformation in 4H-SiC nanopillars. Acta Materialia 80, 392-399 (2014). 
7 B. Chen, H. Matsuhata, T. Sekiguchi, K. Ichinoseki, H. Okumura. Surface defects and accompanying imperfections in 4H-SiC: Optical, structural and electrical characterization. Acta Materialia 60, 51-58 (2012). 
8 B. Chen, T. Sekiguchi, T. Ohyanagi, H. Matsuhata, A. Kinoshita, H. Okumura. Evidence for a general mechanism modulating carrier lifetime in SiC. Physical Review B 81, 233203 (2010). 
9 B. Chen, J. Chen, Y. Z. Yao, T. Sekiguchi, H. Matsuhata, H. Okumura. In situ monitoring of stacking fault formation and its carrier lifetime mediation in p-type 4H-SiC. Applied Physics Letters   105, 042104 (2014). 
10 B. Chen, H. Matsuhata, T. Sekiguchi, A. Kinoshita, K. Ichinoseki, H. Okumura. Tuning minority-carrier lifetime through stacking fault defects: The case of polytypic SiC. Applied Physics Letters   100, 132108 (2012). 
11 B. Chen, H. Matsuhata, T. Sekiguchi, T. Ohyanagi, A. Kinoshita, H. Okumura. Pinning of recombination-enhanced dislocation motion in 4H-SiC: Role of Cu and EH1 complex. Applied Physics Letters 96, 212110 (2010). 
12 B. Chen, J. Chen, T. Sekiguchi, T. Ohyanagi, H. Matsuhata, A. Kinoshita, H. Okumura, F. Fabbri. Electron-beam-induced current study of stacking faults and partial dislocations in 4H-SiC Schottky diode.  Applied Physics Letters 93, 033514 (2008).


7.  其他
   热诚欢迎对超快科学、材料物化、催化化学、光电磁学、生物化学等方向感兴趣的本科生、硕士生、博士生、博士后加入我们课题组。

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